附件:设置1:设置2:设置3:本书在温殿忠教授提出的JFET压/磁电效应基本理论基础上, 给出MOSFETs压/磁多功能传感器在四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极 (S) 和漏极 (D) 的MOSFETs压/磁多功能传感器。摘要:有书目 (第234-246页)
附注提要
本书在温殿忠教授提出的JFET压/磁电效应基本理论基础上, 给出MOSFETs压/磁多功能传感器在四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极 (S) 和漏极 (D) 的MOSFETs压/磁多功能传感器。